HXY MOSFET RS1E170GNTB-HXY
Артикул: C53263002
Part Number: RS1E170GNTB-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.266300 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.498400 ₽ |
| 10 шт. | 0.399400 ₽ |
| 30 шт. | 0.357200 ₽ |
| 100 шт. | 0.303600 ₽ |
| 500 шт. | 0.280900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.266300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 37W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 38nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.93nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 260pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 310pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
37W 30V 80A 1.7V 4.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)