HXY MOSFET FDD5N50FTM-WS-HXY
Артикул: C53262964
Part Number: FDD5N50FTM-WS-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.543900 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.969200 ₽ |
| 10 шт. | 0.795500 ₽ |
| 30 шт. | 0.709400 ₽ |
| 100 шт. | 0.621800 ₽ |
| 500 шт. | 0.571500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.543900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.3Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 582pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 42pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
83W 500V 5A 3.4V 1.3Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)