HXY MOSFET IPD50R1K4CEAUMA1-HXY
Артикул: C53262961
Part Number: IPD50R1K4CEAUMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.199500 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.374000 ₽ |
| 50 шт. | 0.299600 ₽ |
| 150 шт. | 0.267700 ₽ |
| 500 шт. | 0.227900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.210100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.199500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.3Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 582pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 42pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
83W 500V 5A 3.4V 1.3Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)