HXY MOSFET FDP100N10-HXY
Артикул: C53262917
Part Number: FDP100N10-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.480200 ₽
В наличии: 94 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.853900 ₽ |
| 10 шт. | 0.709700 ₽ |
| 50 шт. | 0.639200 ₽ |
| 100 шт. | 0.544100 ₽ |
| 500 шт. | 0.501500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.480200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31.3nC@50V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.368nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 451pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100W 100V 70A 2.5V 8.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)