HXY MOSFET SUP85N10-10-GE3-HXY
Артикул: C53262909
Part Number: SUP85N10-10-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.863600 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.978900 ₽ |
| 10 шт. | 2.563300 ₽ |
| 50 шт. | 2.301900 ₽ |
| 100 шт. | 2.035700 ₽ |
| 500 шт. | 1.915600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.863600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31.3nC@50V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.368nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 451pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100W 100V 70A 2.5V 8.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)