HXY MOSFET SIR5102DP-T1-RE3-HXY
Артикул: C53262904
Part Number: SIR5102DP-T1-RE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.199700 ₽
В наличии: 99 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.917200 ₽ |
| 10 шт. | 1.649400 ₽ |
| 30 шт. | 1.482100 ₽ |
| 100 шт. | 1.310100 ₽ |
| 500 шт. | 1.233800 ₽ |
| 1000 шт. | 1.199700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 176W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.6mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 69nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.102nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 592pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
176W 100V 120A 3V 3.6mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)