HXY MOSFET NVMFWS2D9N04XMT1G-HXY
Артикул: C53262881
Part Number: NVMFWS2D9N04XMT1G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.454600 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.810100 ₽ |
| 10 шт. | 0.664000 ₽ |
| 30 шт. | 0.590900 ₽ |
| 100 шт. | 0.519500 ₽ |
| 500 шт. | 0.477300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.454600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 130A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 64nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.584nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 338pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 410pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
40V 130A 1.6V 2.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)