HXY MOSFET SI7460DP-T1-GE3-HXY
Артикул: C53262870
Part Number: SI7460DP-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.313300 ₽
В наличии: 66 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.099000 ₽ |
| 10 шт. | 1.806800 ₽ |
| 30 шт. | 1.623400 ₽ |
| 100 шт. | 1.435100 ₽ |
| 500 шт. | 1.350700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.313300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 65A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 89W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 930pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 370pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
89W 60V 65A 1.6V 8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)