HXY MOSFET NVMFS5C645NT1G-HXY
Артикул: C53262869
Part Number: NVMFS5C645NT1G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.037400 ₽
В наличии: 99 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.748400 ₽ |
| 10 шт. | 1.470800 ₽ |
| 30 шт. | 1.319800 ₽ |
| 100 шт. | 1.147700 ₽ |
| 500 шт. | 1.071400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.037400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 73.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 28.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.673nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 46.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 773pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
73.5W 60V 100A 2.9V 3.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)