HXY MOSFET NTMFS5C670NLT3G-HXY
Артикул: C53262844
Part Number: NTMFS5C670NLT3G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.219200 ₽
В наличии: 435 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.412400 ₽ |
| 50 шт. | 0.329600 ₽ |
| 150 шт. | 0.295500 ₽ |
| 500 шт. | 0.251700 ₽ |
| 2500 шт. | 0.232200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.219200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 108W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 90nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.136nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 257pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 286pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
108W 60V 80A 3V 6mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)