HXY MOSFET SIR662DP-T1-GE3-HXY
Артикул: C53262842
Part Number: SIR662DP-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.952200 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.496000 ₽ |
| 10 шт. | 1.283700 ₽ |
| 30 шт. | 1.167700 ₽ |
| 100 шт. | 1.037100 ₽ |
| 500 шт. | 0.978300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.952200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 125A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 113W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 74.37nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.61nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 66pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.188nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
113W 60V 125A 1.6V 2.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)