HUASHUO HSBG2N7002K
Артикул: C53243978
Part Number: HSBG2N7002K
Производитель: HUASHUO
от 0.013300 ₽
В наличии: 180 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.026600 ₽ |
| 200 шт. | 0.020900 ₽ |
| 600 шт. | 0.017700 ₽ |
| 2000 шт. | 0.015800 ₽ |
| 10000 шт. | 0.014200 ₽ |
| 20000 шт. | 0.013300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 500mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 850pC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 28pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 8.5pF |
Описание
60V 500mA 1.6V 1.1W 1.4Ω@10V 1 N-канальный N-канальный DFN1006-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)