Infineon IGB110S10S1Q
Артикул: C53234447
Part Number: IGB110S10S1Q
Производитель: Infineon
от 9.152900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 24.144700 ₽ |
| 200 шт. | 9.634200 ₽ |
| 500 шт. | 9.312300 ₽ |
| 1000 шт. | 9.152900 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 23A |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.4mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 3.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
Описание
100V 23A 2V 15W 9.4mΩ N-канальный TSON-4(3x4) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)