HTCSEMI HT80N10ARDZ
Артикул: C53223708
Part Number: HT80N10ARDZ
Производитель: HTCSEMI
от 0.353800 ₽
В наличии: 2473 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.660400 ₽ |
| 10 шт. | 0.536200 ₽ |
| 30 шт. | 0.473300 ₽ |
| 100 шт. | 0.410400 ₽ |
| 500 шт. | 0.372700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.353800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 850V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 400mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 10.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 208pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 18pF |
Описание
850V 12A 4.2V 52W 400mΩ 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)