VBsemi Elec DMTH10H1M5STTW-13-VB
Артикул: C53206764
Part Number: DMTH10H1M5STTW-13-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 4.056600 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.054800 ₽ |
| 10 шт. | 5.285100 ₽ |
| 30 шт. | 4.827900 ₽ |
| 100 шт. | 4.365700 ₽ |
| 500 шт. | 4.152600 ₽ |
| 1000 шт. | 4.056600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 415A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 455W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 130nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 11.5nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 18pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 3.246nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 415A 3V 455W 1.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TOLT-16 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)