R+O HB06N100S
Артикул: C53155122
Part Number: HB06N100S
Производитель: R+O
от 0.219000 ₽
В наличии: 14879 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.424900 ₽ |
| 10 шт. | 0.337300 ₽ |
| 30 шт. | 0.300000 ₽ |
| 100 шт. | 0.251400 ₽ |
| 500 шт. | 0.231900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.219000 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 70W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 77nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.018nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 198pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
70W 60V 60A 1.5V 10mΩ@10V N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)