R+O HB10N170SG
Артикул: C53155121
Part Number: HB10N170SG
Производитель: R+O
от 0.375300 ₽
В наличии: 9969 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.646700 ₽ |
| 10 шт. | 0.531300 ₽ |
| 30 шт. | 0.480900 ₽ |
| 100 шт. | 0.420800 ₽ |
| 500 шт. | 0.393200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.375300 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 45A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 72W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.21nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
72W 100V 45A 1.8V 17mΩ@10V N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)