R+O HB06P160SG
Артикул: C53155119
Part Number: HB06P160SG
Производитель: R+O
от 0.460600 ₽
В наличии: 4902 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.855500 ₽ |
| 10 шт. | 0.693300 ₽ |
| 30 шт. | 0.613000 ₽ |
| 100 шт. | 0.532700 ₽ |
| 500 шт. | 0.485100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.460600 ₽ |
Характеристики
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 38nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.645nF@30V |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 25pF@30V |
Описание
60V 60A 1.8V 100W 16mΩ@10V P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)