VBsemi Elec SI7190DP-T1-GE3-VB
Артикул: C53154600
Part Number: SI7190DP-T1-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 1.341000 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.214800 ₽ |
| 10 шт. | 1.888100 ₽ |
| 30 шт. | 1.684000 ₽ |
| 100 шт. | 1.476500 ₽ |
| 500 шт. | 1.381800 ₽ |
| 1000 шт. | 1.341000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 250V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 136W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 42mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 48nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.5nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 225pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 470pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
250V 35A 3V 136W 42mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)