HXY MOSFET SPD04N60C3BTMA1-HXY
Артикул: C53134164
Part Number: SPD04N60C3BTMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.767900 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.355000 ₽ |
| 10 шт. | 1.126500 ₽ |
| 30 шт. | 1.001200 ₽ |
| 100 шт. | 0.858400 ₽ |
| 500 шт. | 0.796500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.767900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 900V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 712mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 66pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 14pF |
Описание
900V 11A 3V 32W 712mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)