HXY MOSFET NVH4L050N65S3F-HXY
Артикул: C53134162
Part Number: NVH4L050N65S3F-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 7.090300 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.000100 ₽ |
| 10 шт. | 8.627700 ₽ |
| 30 шт. | 7.791600 ₽ |
| 90 шт. | 7.090300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 208W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 45mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 47nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.41nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 119pF |
Описание
650V 55A 2.7V 208W 45mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247H-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)