HXY MOSFET IXFP34N65X2M-HXY
Артикул: C53134159
Part Number: IXFP34N65X2M-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.891200 ₽
В наличии: 9 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.995500 ₽ |
| 10 шт. | 2.570300 ₽ |
| 50 шт. | 2.318000 ₽ |
| 100 шт. | 2.062600 ₽ |
| 500 шт. | 1.945200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.891200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 24A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 64W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 95mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 34nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 803pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 77pF |
Описание
650V 24A 3V 64W 95mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)