HXY MOSFET IXTY4N65X2-TRL-HXY
Артикул: C53134142
Part Number: IXTY4N65X2-TRL-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.729900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.286700 ₽ |
| 10 шт. | 1.069400 ₽ |
| 30 шт. | 0.950400 ₽ |
| 100 шт. | 0.815500 ₽ |
| 500 шт. | 0.756800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.729900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.6A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 42.8W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 525mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 103pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 17pF |
Описание
800V 8.6A 2.3V 42.8W 525mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)