HXY MOSFET C3M0045065J1-TR-HXY
Артикул: C53134125
Part Number: C3M0045065J1-TR-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 6.806300 ₽
В наличии: 9 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.600200 ₽ |
| 10 шт. | 8.283400 ₽ |
| 30 шт. | 7.479000 ₽ |
| 100 шт. | 6.806300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 214W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 36mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 80nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.525nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 115pF |
Описание
650V 70A 2.7V 214W 36mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-263-7L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)