HXY MOSFET STD7N65M2-HXY
Артикул: C53134115
Part Number: STD7N65M2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.301100 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.571300 ₽ |
| 10 шт. | 0.460600 ₽ |
| 30 шт. | 0.405300 ₽ |
| 100 шт. | 0.351600 ₽ |
| 500 шт. | 0.319000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.301100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 820mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.9nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 68pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 12pF |
Описание
650V 5.3A 2.6V 32W 820mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)