HXY MOSFET STW65N65DM2AG-HXY
Артикул: C53134073
Part Number: STW65N65DM2AG-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 5.418800 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.644600 ₽ |
| 10 шт. | 6.594700 ₽ |
| 30 шт. | 5.954900 ₽ |
| 90 шт. | 5.418800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 208W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 58mΩ@20V |
| Заряд затвора (Qg) | 66.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.41nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 119pF |
Описание
650V 55A 2.7V 208W 58mΩ@20V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)