HXY MOSFET AOTF7N65
Артикул: C53134059
Part Number: AOTF7N65
Производитель: HXY MOSFET
от 0.331500 ₽
В наличии: 43 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.618100 ₽ |
| 10 шт. | 0.501300 ₽ |
| 50 шт. | 0.442000 ₽ |
| 100 шт. | 0.384400 ₽ |
| 500 шт. | 0.349100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.331500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3.9A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 25.86W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 410mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 4.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 37.5pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 11.5pF |
Описание
650V 3.9A 2.8V 25.86W 410mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)