HXY MOSFET IMW65R083M1HXKSA1-HXY
Артикул: C53134028
Part Number: IMW65R083M1HXKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 3.186600 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.048900 ₽ |
| 10 шт. | 4.331500 ₽ |
| 30 шт. | 3.905600 ₽ |
| 90 шт. | 3.474800 ₽ |
| 450 шт. | 3.276300 ₽ |
| 900 шт. | 3.186600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 36A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 127W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 75mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 721pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
Описание
650V 36A 2.3V 127W 75mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)