HXY MOSFET SIHK100N65E-T1-GE3-HXY
Артикул: C53133942
Part Number: SIHK100N65E-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 5.064900 ₽
В наличии: 17 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.190500 ₽ |
| 10 шт. | 6.187900 ₽ |
| 30 шт. | 5.577600 ₽ |
| 100 шт. | 5.064900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 36A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 181W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 94mΩ@20V |
| Заряд затвора (Qg) | 35.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 767pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 55pF |
Описание
650V 36A 2.7V 181W 94mΩ@20V 1 N-канальный N-канальный TOLLS одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)