HXY MOSFET IPW65R110CFD7XKSA1-HXY
Артикул: C53133924
Part Number: IPW65R110CFD7XKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.582300 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.704000 ₽ |
| 10 шт. | 2.286000 ₽ |
| 30 шт. | 2.024800 ₽ |
| 90 шт. | 1.757000 ₽ |
| 450 шт. | 1.636100 ₽ |
| 900 шт. | 1.582300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 32A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 142W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 94mΩ@20V |
| Заряд затвора (Qg) | 36nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 758pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 82pF |
Описание
650V 32A 2.7V 142W 94mΩ@20V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)