HXY MOSFET IPD65R660CFDBTMA1-HXY
Артикул: C53133892
Part Number: IPD65R660CFDBTMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.724300 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.285800 ₽ |
| 10 шт. | 1.067700 ₽ |
| 30 шт. | 0.947300 ₽ |
| 100 шт. | 0.812200 ₽ |
| 500 шт. | 0.752000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.724300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10.2A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 44.4W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 550mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 89pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 19pF |
Описание
800V 10.2A 2.6V 44.4W 550mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)