HXY MOSFET IPL65R650C6SATMA1-HXY
Артикул: C53133876
Part Number: IPL65R650C6SATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.696500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.229600 ₽ |
| 10 шт. | 1.021800 ₽ |
| 30 шт. | 0.907600 ₽ |
| 100 шт. | 0.779000 ₽ |
| 500 шт. | 0.721900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.696500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 43.4W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 410mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 147pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 19pF |
Описание
650V 9A 2.8V 43.4W 410mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)