HXY MOSFET IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
Артикул: C53133874
Part Number: IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 19.239400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 20.208200 ₽ |
| 30 шт. | 19.239400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 750V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 355A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 833W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 582nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 16.854nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 76pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 958pF |
Описание
750V 355A 2.8V 833W 5mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247H-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)