HXY MOSFET SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
Артикул: C53133816
Part Number: SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.648000 ₽
В наличии: 8 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.193300 ₽ |
| 10 шт. | 3.598300 ₽ |
| 30 шт. | 3.244500 ₽ |
| 100 шт. | 2.887600 ₽ |
| 500 шт. | 2.722600 ₽ |
| 1000 шт. | 2.648000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 14A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 390mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 184pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 22pF |
Описание
650V 14A 2.7V 75W 390mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный DFN-5B(8x8) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)