HXY MOSFET IMW65R026M2HXKSA1-HXY
Артикул: C53133791
Part Number: IMW65R026M2HXKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 6.617500 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.333700 ₽ |
| 10 шт. | 8.053400 ₽ |
| 30 шт. | 7.272800 ₽ |
| 90 шт. | 6.617500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 99A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 333W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 26mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 74.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.543nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 173pF |
Описание
650V 99A 3V 333W 26mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)