HXY MOSFET IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
Артикул: C53133787
Part Number: IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 3.214400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.092900 ₽ |
| 10 шт. | 4.369400 ₽ |
| 50 шт. | 3.939400 ₽ |
| 100 шт. | 3.504700 ₽ |
| 500 шт. | 3.304800 ₽ |
| 1000 шт. | 3.214400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 105A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 26mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 74.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.543nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 173pF |
Описание
650V 105A 3V 375W 26mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)