HXY MOSFET IMW65R020M2HXKSA1-HXY
Артикул: C53133765
Part Number: IMW65R020M2HXKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 6.640500 ₽
В наличии: 60 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.365800 ₽ |
| 10 шт. | 8.081000 ₽ |
| 30 шт. | 7.297700 ₽ |
| 90 шт. | 6.640500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 108A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 341W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 20mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 142nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.935nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 221pF |
Описание
650V 108A 2.6V 341W 20mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)