HXY MOSFET FCHD190N65S3R0-F155-HXY
Артикул: C53133757
Part Number: FCHD190N65S3R0-F155-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.098200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.883800 ₽ |
| 10 шт. | 1.590600 ₽ |
| 30 шт. | 1.407600 ₽ |
| 90 шт. | 1.219700 ₽ |
| 450 шт. | 1.135500 ₽ |
| 900 шт. | 1.098200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 25A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 165mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 17.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 361pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 34pF |
Описание
800V 25A 3V 83W 165mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)