HXY MOSFET DIW065SIC015-HXY
Артикул: C53133732
Part Number: DIW065SIC015-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 18.080200 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 22.458400 ₽ |
| 10 шт. | 21.426000 ₽ |
| 30 шт. | 19.639700 ₽ |
| 90 шт. | 18.080200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 750V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 218A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 714W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 268nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.22nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 37pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 482pF |
Описание
750V 218A 2.7V 714W 11mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)