HXY MOSFET IPW60R099CPFKSA1-HXY
Артикул: C53133728
Part Number: IPW60R099CPFKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 3.403200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.391100 ₽ |
| 10 шт. | 4.626400 ₽ |
| 30 шт. | 4.171100 ₽ |
| 90 шт. | 3.711000 ₽ |
| 450 шт. | 3.500000 ₽ |
| 900 шт. | 3.403200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 38A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 95mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 34nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 803pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 77pF |
Описание
650V 38A 3V 150W 95mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)