VBsemi Elec NGTB20N60L2TF1G-VB
Артикул: C53132755
Part Number: NGTB20N60L2TF1G-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 1.354100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.571400 ₽ |
| 210 шт. | 1.425800 ₽ |
| 600 шт. | 1.377500 ₽ |
| 900 шт. | 1.354100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 62nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 33pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 38pF |
| Время задержки включения Td(on) | 13ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 112ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 0.00045uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 0.00017uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 140ns |
Описание
65W 20A 600V FS (ограничение поля) TO-3P одиночные IGBT-транзисторы