Infineon IPT65R195G7
Артикул: C531219
Part Number: IPT65R195G7
Производитель: Infineon
от 1.599100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.360400 ₽ |
| 200 шт. | 1.687100 ₽ |
| 500 шт. | 1.628400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.599100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 14A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 97W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 195mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@400V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 996pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 14pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 14pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
97W 650V 14A 3.5V 195mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS