Infineon IPT60R102G7
Артикул: C531214
Part Number: IPT60R102G7
Производитель: Infineon
от 9.026500 ₽
В наличии: 6 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.348100 ₽ |
| 10 шт. | 9.210000 ₽ |
| 30 шт. | 9.117400 ₽ |
| 100 шт. | 9.026500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 32A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 141W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 102mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 34nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 516pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 27pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
141W 600V 32A 3.5V 102mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS