Infineon IPSA70R1K4P7S
Артикул: C531187
Part Number: IPSA70R1K4P7S
Производитель: Infineon
от 0.204600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.558100 ₽ |
| 200 шт. | 0.217300 ₽ |
| 500 шт. | 0.209300 ₽ |
| 1500 шт. | 0.204600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 700V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 22.7W |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 4.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 158pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 3pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±16V |
Описание
22.7W 700V 2.5A 3V 1.4Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-251-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS