50 V, 100 mA NPN резистор-оснащённый транзистор
Артикул: C5311549
Part Number: PDTC114YU-QX
Производитель: Nexperia
от 0.052300 ₽
В наличии: 1505 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.104400 ₽ |
| 50 шт. | 0.082000 ₽ |
| 150 шт. | 0.070800 ₽ |
| 500 шт. | 0.062400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.055700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.052300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 230MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 100 100mA 200mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-323-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS