NPN кремний планарный средний мощность дарлингтона транзисторы
Артикул: C531152
Part Number: ZTX603
Производитель: DIODES
от 0.564600 ₽
В наличии: 13 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.594000 ₽ |
| 10 шт. | 0.581000 ₽ |
| 30 шт. | 0.572800 ₽ |
| 100 шт. | 0.564600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Ток коллектора (Ic) | 1A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 1.8V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 1.7V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 150MHz |
Описание
80V 2000 1A NPN TO-92-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS