JSMSEMI PDTD123YT,215-JSM

JSMSEMI PDTD123YT,215-JSM

Артикул: C53114243 Part Number: PDTD123YT,215-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.086300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.227400 ₽
200 шт. 0.090800 ₽
500 шт. 0.087800 ₽
1000 шт. 0.086300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество -
Тип -
Ток коллектора (Ic) -
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO -
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Коэффициент усиления по постоянному току -
Рабочая температура -
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2V@20mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 300mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@50mA,2.5mA
Входной резистор 2.86kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 5.5
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 200MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

200mW SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS