JSMSEMI PUMD2,115-JSM
Артикул: C53114229
Part Number: PUMD2,115-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.027300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.072000 ₽ |
| 200 шт. | 0.028700 ₽ |
| 500 шт. | 0.027800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.027300 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | NPN+PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
56 100mA 150mW NPN+PNP SOT-363 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS