JSMSEMI PDTA114ET,215-JSM
Артикул: C53114154
Part Number: PDTA114ET,215-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.059600 ₽
В наличии: 2995 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.110700 ₽ |
| 50 шт. | 0.088700 ₽ |
| 150 шт. | 0.077700 ₽ |
| 500 шт. | 0.069500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.062900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.059600 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 50mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 30 50mA 200mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS