JSMSEMI PUMD9,115-JSM
Артикул: C53114101
Part Number: PUMD9,115-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.027300 ₽
В наличии: 5750 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.050600 ₽ |
| 100 шт. | 0.040600 ₽ |
| 300 шт. | 0.035500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.031800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.028800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.027300 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN+PNP |
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 385mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 140 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.25 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 140 100mA 385mW NPN+PNP 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-363 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS